利用“参数扫描分析”（Parameter Sweep Analysis）研究电阻变化对静态工作点的影响（以阻容耦合静态工作点稳定电路为例）
偏置电阻
思路
改变偏置电阻 R b 22 R_{b22} Rb22，设置起始值、终值、点数为3k Ω \Omega Ω、12k Ω \Omega Ω、6
选择"DC Operating Point"
结果展示
V(2)是集电极电压，V(5)是发射极电压
由图可知，随着 R b 22 R_{b22} Rb22增大，集电极电压增大，发射极电压减小。
推论： I C Q I_{CQ} ICQ减小，电压放大倍数减小，输入电阻增大
集电极电阻
V(2)是集电极电压，V(5)是发射极电压
随着Rc的增大，发射极电压变化不大，说明集电极电阻变化对发射极电流 I E Q I_{EQ} IEQ影响小。集电极电压明显下降，管子压降减小。
当Rc=16660 Ω \Omega Ω时，集电极电压和发射极电压接近，管子进入饱和区，不能正常工作，不再放大
从理论上演算，增大Rc可使电压放大能力增强，但可能产生失真（饱和/底部失真），因此，应以电路不失真为度。
当然，降低集电极电阻也是避免饱和失真的方式之一
multisim利用参数扫描分析研究电阻变化对静态工作点的影响（以阻容耦合静态工作点稳定电路为例）
